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原位紅外電化學(xué)池_原位紅外電化學(xué)ATR系統(tǒng)_合肥原位科技有限公司.

發(fā)布日期：2023-07-11 閱讀量：825

原位紅外電化學(xué)池_原位紅外電化學(xué)ATR系統(tǒng)_合肥原位科技有限公司.

原位紅外電化學(xué)ATR可以獲得電極表面吸附物種的取向、排列、覆蓋等狀態(tài)信息，是從分子水平研究電極過(guò)程的一種有效手段，其中衰減全反射模式的表面增強(qiáng)光譜，由于表面選律簡(jiǎn)單、表面信號(hào)強(qiáng)、傳質(zhì)容易以及受本體溶液干擾小的優(yōu)點(diǎn)，特別適合實(shí)時(shí)檢測(cè)電極表面動(dòng)態(tài)過(guò)程。該原位反應(yīng)系統(tǒng)引入了三電極和氣體接口，可以在施加外偏壓的條件下，向溶液中通入CO2、N2等反應(yīng)氣體，實(shí)現(xiàn)光（電）催化原位紅外光譜表征。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)在單晶硅表面蒸鍍（或?yàn)R射等）金層，引入表面等離子共振波，實(shí)現(xiàn)表面增強(qiáng)效應(yīng)，增強(qiáng)該原位表征的信號(hào)。

上表中的晶體適用PH值為常規(guī)環(huán)境，如實(shí)驗(yàn)中加光（電）等條件后需到貨后逐步測(cè)試獲取準(zhǔn)備適用范圍。
具體實(shí)驗(yàn)前請(qǐng)檢查晶體與實(shí)驗(yàn)體系是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，如發(fā)生反應(yīng)會(huì)造成晶體被腐蝕導(dǎo)致晶體損壞，嚴(yán)禁此條件下使用。